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J-GLOBAL ID:201702261223026566   整理番号:17A0697371

フレキシブルステンレス鋼基板上のGe量子ドット増強された水素化非晶質シリコンゲルマニウム太陽電池【Powered by NICT】

Ge quantum dot enhanced hydrogenated amorphous silicon germanium solar cells on flexible stainless steel substrate
著者 (8件):
資料名:
巻: 144  ページ: 635-642  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Ge量子ドット(QD)を,400nmでの光検出器の内部量子効率(IQE)を1500%までに適用され,太陽電池の性能のために期待される。太陽電池析出過程と完全に両立することをプラズマ増強化学蒸着(PECVD)を用いたGe-QDを作製することに成功した。透過型電子顕微鏡(TEM)と原子間力顕微鏡(A FM)画像は,QDsが直径~14nmであることを示した。堆積時間,H_2希釈比とH_2プラズマ処理時間を調整することにより,Ge-QDは最高の太陽電池効率を最適化した。IQEは,特に長波長スペクトル(λ>500nm)のための,改良された8.31%と増加した太陽電池効率によって増加した短絡電流密度(Jsc)をもたらす有意であることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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