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J-GLOBAL ID：201702261390766326   整理番号：17A0124432

斜め蒸着によるCo/MgO(001)超薄膜の磁気異方性の操作【Powered by NICT】

Manipulating magnetic anisotropies of Co/MgO(001) ultrathin films via oblique deposition

著者 (9件)： Ahmad Syed Sheraz (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  He Wei (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Tang Jin (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Shengyong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Hu Bo (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ye Jun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Gul Qeemat (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Xiangqun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Cheng Zhaohua (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 9  ページ： 097501-1-097501-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面法線に対して異なる堆積角,すなわち0°,30°,45°,60°,及び75°で分子ビームエピタクシーによりMgO(001)基板上のCo薄膜の斜め蒸着により誘起された磁気異方性を系統的に調べた。低エネルギー電子回折(LEED),表面磁気光学Kerr効果(SMOKE),および異方性磁気抵抗(AMR)装置は,コバルト膜の磁気的性質を調べるために採用した。面内一軸磁気異方性(UMA)一定K_uと四重の結晶磁気異方性定数K_1の値はAMR結果に基づいて磁気トルク曲線から導出した。K_uの値は表面法線に対して堆積角の増加に伴って増加することが分かったが,K_1の値は全ての試料でほぼ一定であった。さらに,MOKE結果を用いて,斜め蒸着した膜のK_u値も困難軸に沿った磁化曲線から導出した。AMR法の結果は,困難軸フィッティング法(コヒーレント回転)のそれと比較し,両方法は各試料のUMA定数の同一の値を有することを見出したた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コヒーレンス ,  *異方性 ,  *超薄膜 ,  一軸磁気異方性 ,  低速電子回折 ,  磁気抵抗 ,  *磁気異方性 ,  Kerr効果 ,  コバルト ,  MBE成長 ,  *酸化マグネシウム
準シソーラス用語： 磁化曲線 ,  磁気トルク ,  磁気光学 ,  *斜め蒸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 磁気異方性 ,  斜め蒸着 ,  コバルト超薄膜 ,  異方性磁気抵抗

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 斜め蒸着 ,  CO ,  MgO ,  薄膜 ,  磁気異方性