文献

J-GLOBAL ID：201702261566461018   整理番号：17A0856366

Au/GaZnO nanorods/Au構造に基づくSchottky障壁光検出器のための表面処理【Powered by NICT】

Surface treatment for Schottky barrier photodetector based on Au/GaZnO nanorods/Au structure

著者 (7件)： Song Zehao (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan 430062, China) ,  Zhou Hai (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan 430062, China) ,  Ye Cong (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan 430062, China) ,  Yang Lu (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan 430062, China) ,  Xue Mengni (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan 430062, China) ,  Mei Jun (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan 430062, China) ,  Wang Hao (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan 430062, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 64  ページ： 101-108  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,幾何学的形態,光学的性質,ガリウムドープZnOナノロッド(GZO NRs)の電気的性質と同様に,Au/GZO NRs/Au構造光検出器の性能を報告する。ガリウムのモル比の増加に伴って,ナノロッドの長さは小さくなり,径方向幅は増加することを見出し,形状は六方晶プリズムに対してよりであり,粒径は増加した。ドーピング比の増加と共にまた,光学吸収端は青方偏移現象を示し,伝導率は増強された。,光検出器の高い性能を得るために,GZO NRsは過酸化水素により処理し,Ohm接触Au/GaZnO Nanorods/AuデバイスはSchottky接触装置,Ohm接触装置と比較してより小さな暗電流とより速い応答速度を示したに変更した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収端 ,  Ohm接触 ,  光学的性質 ,  青方偏移 ,  ナノロッド ,  *Schottky障壁 ,  粒径 ,  *検出器 ,  *光検出器 ,  暗電流 ,  電気的性質 ,  過酸化水素 ,  六方晶系 ,  *表面処理
準シソーラス用語： 応答速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Gaドーピング ,  UV光検出器 ,  表面処理 ,  Schottky障壁

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  Schottky障壁 ,  光検出器 ,  表面処理