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J-GLOBAL ID：201702261986379180   整理番号：17A0832975

ナノフラワー装飾されたGaNとAlGaN/GaNヘテロ構造の電子構造と化学状態分析【Powered by NICT】

Electronic structure and chemical state analysis of nanoflowers decorated GaN and AlGaN/GaN heterostructure

著者 (9件)： Mishra Monu (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory (NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Mishra Monu (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPL Campus, Dr. K. S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Krishna Shibin (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory (NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Krishna Shibin (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPL Campus, Dr. K. S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Aggarwal Neha (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory (NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Aggarwal Neha (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPL Campus, Dr. K. S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Gundimeda Abhiram (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory (NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Gupta Govind (Advanced Materials and Devices Division, CSIR-National Physical Laboratory (NPL), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India) ,  Gupta Govind (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), CSIR-NPL Campus, Dr. K. S. Krishnan Road, New Delhi, 110012, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 708  ページ： 385-391  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,準連続GaN膜,ナノフラワーで修飾されたナノ構造GaNとナノフラワーで修飾されたAlGaN/GaNヘテロ構造の電子構造,化学的及び欠陥状態解析を報告した。ナノ構造GaNとAlGaN表面は200~400nm間のサイズ変動を有するナノフラワーで修飾した。広範な光電子放出分析は,表面化学と電子構造と表面形態との相関を解析した。自由電子蓄積の適応は,AlGaN/GaNヘテロ構造の界面での曲げ観察された下方バンドにより認めた。光応答難治性欠陥はナノフラワーで修飾されたGaNとAlGaN/GaNヘテロ構造と最小残留応力の存在下で最小化。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 残留応力 ,  *電子構造 ,  光電子放出 ,  *窒化ガリウム ,  界面 ,  界面化学 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： 光応答 ,  自由電子 ,  表面形態 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *化学状態 ,  *ヘテロ構造 ,  *AlGaN/GaN ,  *ナノフラワー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  Nanoflowers ,  光電子放出 ,  電子構造

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノフラワー ,  装飾 ,  GaN ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  化学 ,  状態分析