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J-GLOBAL ID：201702262178316909   整理番号：17A0711275

高圧IGBTとダイオードSOAの性能のブレークスルーはSSCMである。【JST・京大機械翻訳】

The Break of High Voltage IGBT and Diode SOA Performancc--SSCM

著者 (4件)： M Rahimo (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors Fabrikstrasse) ,  A Kopta (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors Fabrikstrasse) ,  S Eicher (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors Fabrikstrasse) ,  U Schlapbach (ABB Switzerland Ltd, Semiconductors Fabrikstrasse)
資料名： Dianli Dianzi Jishu  (Dianli Dianzi Jishu)
巻： 42  号： 11  ページ： 75-77  発行年： 2008年 
JST資料番号： C2511A  ISSN： 1000-100X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高電圧IGBTとダイオードの設計プラットフォームを紹介した。これは現在のセキュリティ領域のSOA(SAFE OPERATION AREA,SOA)が達成できる最高限界を示している。本論文では,3.3~6.5KVの定格電圧,動的アバランシェフォトダイオードとスイッチング自己同調モード(SWITCH),低損失のIGBTとダイオードチップセットを初めて示した。この成果は高圧器件のSOA能力の新しい突破を促進する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： セキュリティ ,  スイッチング ,  *高圧 ,  電圧 ,  *IGBT ,  フォトダイオード ,  *ダイオード
準シソーラス用語： ダイナミックアバランシェ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (2件)： diode ,  loss / switch self clamp

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高圧 ,  IGBT ,  ダイオード ,  SOA ,  ブレークスルー