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J-GLOBAL ID：201702262452803890   整理番号：17A0411806

化学浴堆積法による新しいバッファ構造をもつ太陽電池の性能の改善【Powered by NICT】

Improving the performance of solar cells with novel buffer structure by the chemical bath deposition technique

著者 (12件)： Ho Jia-Show (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, No. 2, Peining Rd., Keelung 20224, Taiwan) ,  Ho Jia-Show (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Chang Shih-Cheng (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, No. 2, Peining Rd., Keelung 20224, Taiwan) ,  Ho Jyh-Jier (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, No. 2, Peining Rd., Keelung 20224, Taiwan) ,  Hsu Wei-Tse (Lab. of Green Energy & Environment Research, Industrial Tech Research Institute, Hsinchu1, Taiwan) ,  Chiang Chien-Chih (Lab. of Green Energy & Environment Research, Industrial Tech Research Institute, Hsinchu1, Taiwan) ,  Tsai Song-Yeu (Lab. of Green Energy & Environment Research, Industrial Tech Research Institute, Hsinchu1, Taiwan) ,  Wang Sheng-Shih (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, No. 2, Peining Rd., Keelung 20224, Taiwan) ,  Lin Cheng-Kai (Department of Surgery, Chang Gung Memorial Hospital, Keelung 20400, Taiwan) ,  Chou Chau-Chang (Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, No. 2, Peining Rd., Keelung 20224, Taiwan) ,  Yeh Chi-Hsiao (Department of Surgery, Chang Gung Memorial Hospital, Keelung 20400, Taiwan) ,  Wang Kang L. (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 59  ページ： 29-34  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,八種類のCu(In, Ga)Se_2(CIGS)太陽電池の特性を調べ,比較した。化学浴堆積(CBD)法により,単一-(i ZnO)と二重層(ZnS/CdS)CIGSセルを調製し,評価した。本研究の結果は,太陽光発電(PV)産業界での適用における高性能CIGSセルの可能性を示した。ZnS/CdSバッファ積層薄膜の成長依存性と光学的性質,CBDプロセスにより調製したに焦点を当てた。本プロセスから開発された最良の試料は,二重層バッファとi-ZnO層から成っていた。この試料は,9.23%の変換効率(η)と26.72mA~2の短絡電流密度(J_SC)を得た。この試料の性能は標準CdS電池のそれよりも約25%(絶対利得)良好であった。さらに,ZnS/CdSバッファ構造の二の短い波長範囲(350 500nm)における平均量子効率は単層CdSセルのそれよりも6.8%良好であった。この改善は,ZnS/CdSバッファ構造の反射防止効果,主吸収層上に光強度入射を増加させるに帰することができる。さらに,ZnS/CdSバッファ層は,i-ZnO層の必要性を除去するだけでなく,毒性Cdの使用を低減した。ZnS/CdSバッファ構造を含むこれらの柔軟なCIGSセルを開発する方法は簡単で,効率的で,信頼性が高い。これらの環境に優しい細胞は商業用PV応用のための大量生産に効果的に適用することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 大量生産 ,  波長 ,  *太陽電池 ,  カドミウム ,  量子効率 ,  硫化亜鉛 ,  太陽光発電 ,  酸化亜鉛 ,  硫化カドミウム ,  バッファ層 ,  利得
準シソーラス用語： 光強度 ,  変換効率 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 ,  二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cu(lnGa)Se_2(CIGS)太陽電池 ,  化学槽堆積(CBD) ,  ZnS/CdSバッファ ,  反射防止効果 ,  商業PV応用

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学浴堆積 ,  バッファ ,  太陽電池