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J-GLOBAL ID：201702262518634484   整理番号：17A0275643

高dV/dt免疫分離したゲート駆動のための遮蔽構造を持つオンチップ変圧器【Powered by NICT】

On-chip transformers with shielding structures for high dV/dt immunity isolated gate drive

著者 (4件)： Wu Rongxiang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Julong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liao Niteng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Fang Xiangming (Shenzhen CoilEasy Technologies Co. Ltd., Shenzhen, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代高速スイッチングパワーデバイスの分離ゲート駆動のために望まれている高dV/dt免疫。これはコイル間の小さな容量結合を有することオンチップ絶縁変圧器が必要である。そこで本論文では,固体接地シールド(SGS)およびパターン形成した接地シールド(PGS)構造を用いたオンチップ変圧器を提案し,研究した。シミュレーションの結果は,SGSは23%~31%低いインダクタンスと16%低い電圧利得を犠牲にして完全な容量遮蔽,優れたdV/dt免疫を達成することを示したが,PGSは10倍容量結合を減少させ,その結果インダクタンスと電圧利得を犠牲ずに10倍良いdV/dt免疫を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 接地 ,  パターン形成 ,  高速度 ,  インダクタンス ,  *変圧器
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  容量結合 ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 変圧器  (NB08020Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： dT ,  免疫 ,  ゲート ,  遮蔽 ,  オンチップ ,  変圧器