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J-GLOBAL ID：201702262584450576   整理番号：17A0832762

ZnIn_2Se_4に基づくヘテロ接合の電気的性質の解析【Powered by NICT】

Analysis of electrical properties of heterojunction based on ZnIn₂Se₄

著者 (5件)： Attia A.A. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, 11757, Cairo, Egypt) ,  Ali H.A.M. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, 11757, Cairo, Egypt) ,  Salem G.F. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, 11757, Cairo, Egypt) ,  Ismail M.I. (Physics Department, Faculty of Education, Ain Shams University, Roxy, 11757, Cairo, Egypt) ,  Al-Harbi F.F. (Department of Physics, College of Science, Princess Nora Bint Abdulrahman University, Riyadh, Saudi Arabia)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 66  ページ： 480-486  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n ZnIn_2Se_4/p-Siのヘテロ接合は,室温でp-Si基板上に厚さ473nmのZnIn_2Se_4薄膜の熱蒸着を用いて作製した。n ZnIn_2Se_4/Siヘテロ接合の電流-電圧(I V)の特性を308Kから363Kまでの範囲の異なる温度で研究した。接合パラメータは,すなわち整流比(RR),直列抵抗(R_s),シャント抵抗(R_sh)とダイオード理想因子(n)をI-V曲線の解析から計算した。順方向電流は二つの伝導機構運転,熱電子放出と電圧の低い(0≦V≦0.5 V)及び高(V≧0.7 V)範囲で単一トラップ空間電荷制限電流を示した。逆電流はSiによる生成よりもむしろZnIn_2Se_4膜によるものであった。ビルトイン電圧と空乏領域の幅を,容量-電圧(C V)測定から決定した。接合の光起電力特性も40mW/cm~2の照射下で(I V)測定により研究した。細胞パラメータ短絡電流,開回路電圧と曲線因子は室温で評価した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 真空蒸着 ,  ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  電流 ,  *電気的性質 ,  熱電子放出 ,  電圧 ,  光起電力 ,  ダイオード ,  空間電荷制限電流
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  理想因子 ,  シャント抵抗 ,  直列抵抗 ,  整流比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ヘテロ接合 ,  輸送機構 ,  接合パラメータ ,  光起電力特性

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合 ,  電気的性質 ,  解析