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J-GLOBAL ID：201702262873111037   整理番号：17A0167812

ハロゲンを含まない溶媒から加工されたnチャネル有機トランジスタ:薄膜形態と電荷輸送に及ぼす溶媒効果【Powered by NICT】

n-Channel Organic Transistors Processed from Halogen-Free Solvents:Solvent Effect on Thin-Film Morphology and Charge Transport

著者 (4件)： Gao Simin (Department of Chemistry, College of Science, Shanghai University) ,  Hu Yonghui (Shanghai Institute of Organic Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Duan Zhiming (Department of Chemistry, College of Science, Shanghai University) ,  Gao Xike (Shanghai Institute of Organic Chemistry, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Journal of Chemistry  (Chinese Journal of Chemistry)
巻： 34  号： 7  ページ： 689-695  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0337A  ISSN： 1001-604X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非塩素化溶媒は,環境に優しい特性のために有機電子処理のための高度に望ましい。tetrafuran,トルエン,メタ-キシレンと1,2,4 トリメチルベンゼン,四つの異なるハロゲンフリー溶媒は(1,3-ジチオール-2-イリデン)マロノニトリル基(NDI3HU DTYM2)と融合した3 ヘキシルウンデシル置換ナフタレンジイミドに基づいたn-チャネル有機薄膜トランジスタ(OTFT)を作製するために選択した。NDI3HU DTYM2に基づくOTFTは周囲条件下で1.37cmまで約2V( 1)/2( 1)の電子移動度を示した。これはハロゲンを含まない溶媒から作製したnチャネルOTFTの最高のデバイス性能の一つである。,特徴のない低結晶性形態からの良く整列したナノ繊維への,異なる薄膜形態はデバイス性能に大きな影響を及ぼす。これらの結果は,溶媒選択と有機電子素子のための得られた溶液プロセスに光を当てるかもしれない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ハロゲン ,  結晶度 ,  *チャネル ,  ナノファイバ ,  *溶媒効果 ,  *薄膜 ,  塩素化 ,  アルキルベンゼン
準シソーラス用語： 有機電子デバイス ,  電子移動度 ,  有機薄膜トランジスタ ,  ノンハロゲン ,  *電荷輸送 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 有機薄膜トランジスタ ,  塩素化溶媒 ,  電子輸送

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： トルエン

タイトルに関連する用語 (8件)： ハロゲン ,  溶媒 ,  Nチャネル ,  有機トランジスタ ,  薄膜 ,  形態 ,  電荷輸送 ,  溶媒効果