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J-GLOBAL ID：201702263019061724   整理番号：17A0211079

ポリスチレン-シリコン間のπ電子を介した結合:XPSとDFTの併用研究

Polystyrene-silicon bonding through π electrons: a combined XPS and DFT study

著者 (4件)： Tardio Sabrina (Department of Mechanical Engineering Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK) ,  Abel Marie-Laure (Department of Mechanical Engineering Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK) ,  Carr Robert H. (Huntsman PU, Everslaan 45, B-03078, Everberg, Belgium) ,  Watts John F. (Department of Mechanical Engineering Sciences, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 7XH, UK)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 48  号： 7  ページ： 556-560  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリスチレンの種々の厚い層で覆われたシリコンウエハが,XPSによって分析された。芳香環のπ-π^*遷移に起因するC1sシェイクアップ衛線の高分解能スペクトルが比べられた。シェイクアップ結合エネルギーのシフトは,電子遷移エネルギーの変化を表すので,分子軌道のエネルギーの変化も表す。このことが,フェニル環のπ電子とシリコンの表面に存在するシラノール基の間の相互作用の評価と確認を可能にした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリスチレン ,  *ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  相互作用 ,  密度汎関数法 ,  電子遷移 ,  電子構造 ,  ウエハ【IC】 ,  衛線 ,  *シェイクアップ ,  高分子膜
準シソーラス用語： *シリコンウエハ

著者キーワード (5件)： polystyrene ,  silicon ,  XPS ,  interfacial interactions ,  shake-up satellite

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： ポリスチレン ,  シリコン ,  π電子 ,  XPS ,  DFT ,  併用 ,  研究