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J-GLOBAL ID：201702263273825553   整理番号：17A0765273

Ni/4H-SiC SBDとOhm接触に及ぼす高エネルギー電子照射効果【Powered by NICT】

High energy electron radiation effect on Ni/4H-SiC SBD and Ohmic contact

著者 (5件)： Zhang Lin (Xidian University) ,  Zhang Yi-Men (Xidian University) ,  Zhang Yu-Ming (Xidian University) ,  Han Chao (Xidian University) ,  Ma Yong-Ji (Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 8  ページ： 3490-3494  発行年： 2009年08月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni/4H-SiCのOhm接触のNi/4H-SiC Schottky障壁ダイオード(SBD)と移動長法(TLM)テストパターンを作製し,3.43×10(14)e/cm( 2)の線量まで1MeV電子を照射した。照射後,2VでSBDの順方向電流は約50%減少し, 200Vでの逆電流は30%以下で増加した。Ni/4H-SiC SBDのSchottky障壁高さ(φB)は照射バイアスを0Vで1.20eVから1.21eVに増加すると, 30V照射バイアス下で1.25eVから1.19eVである。φBの分解はSchottky接触の界面状態の変化によって説明することができた。オン状態抵抗(R_s)と逆電流は増加する線量,バルク材料中の照射欠陥に起因することができるとともに増加した。Ni/SiC Ohm接触の比接触抵抗(ρ_c)は5.11×10( 5)Ωcm~2から2.97×10( 4)Ωcm 2である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *炭化ケイ素 ,  表面準位 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *Ohm接触 ,  テストパターン ,  バイアス ,  放射線量
準シソーラス用語： 比接触抵抗 ,  照射欠陥 ,  オン状態 ,  Schottky接触 ,  Schottky障壁高さ ,  *照射効果 ,  *高エネルギー電子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭化けい素 ,  Schottky障壁ダイオード ,  Ohm接触 ,  電子放射

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ni ,  4H-SiC ,  SBD ,  Ohm接触 ,  高エネルギー電子 ,  照射効果