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J-GLOBAL ID：201702263273869220   整理番号：17A0057924

HEMTパッケージにおけるAu-Sn共晶型付属品層の信頼性最適化【Powered by NICT】

Reliability optimization of gold-tin eutectic die attach layer in HEMT package

著者 (7件)： Zhang Hao (Beijing Research Center, Delft University of Technology, Beijing, China) ,  Fan Jiajie (Beijing Research Center, Delft University of Technology, Beijing, China) ,  Zhang Jing (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China) ,  Qian Cheng (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China) ,  Fan Xuejun (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China) ,  Sun Fenglian (Harbin University of Science and Technology, Harbin, China) ,  Zhang Guoqi (Changzhou Institute of Technology Research for Solid State Lighting, Changzhou, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina  ページ： 52-56  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,熱サイクル負荷のもとにある層と基板を金型の種々の型により異なった高電子移動度トランジスタ(HEMT)パッケージにおけるAu-Sn共晶ダイアタッチ層の疲労損傷蓄積を比較した。本研究で用いたサイクル当りの疲れ損傷は,塑性仕事の蓄積,有限要素解析(FEA)によって誘導されたによって特性化した。ダイスの影響は層のスタンドオフ高さを置き,疲労損傷蓄積に及ぼす基板の厚さを検討した。結果はダイアタッチ層のスタンドオフ高さを増加させると特に窒化ガリウム(GaN)金型のためのAu-Snダイアタッチ層における早期の亀裂発生を防止するための有効な方法であることを示した。もGaN金型のための,シリコン(Si)金型とCu基板系に匹敵する寿命を保持するために厚いダイアタッチ層と薄い基板が望ましいことが示唆された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銅 ,  疲れ損傷 ,  キャラクタリゼーション ,  塑性 ,  窒化ガリウム ,  繰返し荷重 ,  仕事 ,  *HEMT ,  亀裂発生 ,  ダイボンディング ,  *共晶
準シソーラス用語： 有限要素解析 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 金属材料  (HC05020S) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  押出  (WC04020A)

タイトルに関連する用語 (7件)： HEMT ,  パッケージ ,  Au ,  Sn ,  共晶 ,  付属品 ,  信頼性最適化