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J-GLOBAL ID：201702263339673191   整理番号：17A0375110

後セレン化したCu(In,Ga)Se_2薄膜に及ぼす表面改質Mo裏面接触の影響【Powered by NICT】

Influence of surface-modified Mo back contact on post-selenized Cu(In,Ga)Se₂ thin films

著者 (5件)： Huang Yunxiang (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Tang Yong (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Yuan Wei (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Wang Qinghui (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Zhang Shiwei (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57  ページ： 227-232  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Cu層の形態とCu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜の品質に及ぼす表面改質Moバック接点の影響を調べた。Mo表面を改質するためにスパッタリング処理の一つの方法は,CuとMo層の間の接着を効果的に改善した。しかし,種々の修飾Mo表面上に電着したCu層は異なる形態学的構造,CIGS薄膜を影響を作成した。最初に,滑らかな構造のCu層に基づく合金化したCu-In-Ga膜は凹凸構造のCu層に比べて均一な元素拡散を経験するであろう。第二に,平滑Cu被覆基板に基づくCIGS膜は規則的な結晶を有する均一な表面形状を示したが,耐久性に基づくCIGS膜はいくつかの不規則結晶を用いた不均一な表面形状を示した。さらに,平滑Cu被覆基板はCuInSe_2とCuGaSe_2の逆相分離を減少させたほうが効率的である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  *表面改質 ,  耐久性 ,  スパッタリング ,  合金化 ,  *モリブデン ,  結晶 ,  電着 ,  被覆 ,  *銅 ,  相分離 ,  モルフォロジー ,  *薄膜
準シソーラス用語： 表面形状 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CIGS ,  Mo背面接触 ,  Cu膜 ,  結晶成長 ,  Microstructure

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： セレン化 ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  表面改質 ,  Mo ,  裏面接触