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J-GLOBAL ID：201702263507874851   整理番号：17A0097169

2ΜM INGAASSB/ALGAASSB二重導波路半導体レーザの構造設計【JST・京大機械翻訳】

Simulation Analysis of 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb Laser Diode with Dual Waveguide

著者 (6件)： An Ning (Changchun Observatory/NAO, Chinese Academy of Sciences) ,  Han Xingwei (Changchun Observatory/NAO, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Chengzhi (Changchun Observatory/NAO, Chinese Academy of Sciences) ,  Fan Cunbo (Changchun Observatory/NAO, Chinese Academy of Sciences) ,  Dong Xue (Changchun Observatory/NAO, Chinese Academy of Sciences) ,  Song Qingli (Changchun Observatory/NAO, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Guangzi Xuebao  (Guangzi Xuebao)
巻： 45  号： 9  ページ： 0914001-1-0914001-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1500A  ISSN： 1004-4213  CODEN： GUXUED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 2ΜMのINGAASSB/ALGAASSB半導体レーザの最大出力を改善するために,単一モード安定出力を実現した。対称構造に基づいて,ガイド構造を有する2ΜMのINGAASSB/ALGAASSBレーザダイオードを設計した。同時に,関連する物理モデルとSIMLASTIPプログラム言語を利用してINGAASSB/ALGAASSB マクロファイルを構築した。SIMLASTIPソフトウェアを用いて,異なる構造をもつ2ΜMのINGAASSB/ALGAASSB半導体レーザの数値シミュレーションを行った。研究結果により、二重導波路構造は半導体レーザーの活性制限因子を0.019 2から0.011 3に減少させ、デバイスの最大出力パワーは1.7倍に増加し、遠方場垂直発散角は57°から48°に減少し、デバイスの性能は改善された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一モード ,  ソフトウェア ,  *半導体レーザ ,  対称性 ,  *構造設計 ,  プログラミング言語 ,  *導波路 ,  遠方場
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  物理モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Semiconductor laser ,  InGaAsSb/AlGaAsSb quantum well ,  Dual waveguide ,  Low vertical divergence ,  Simulation

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 導波路 ,  半導体レーザ ,  構造設計