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J-GLOBAL ID：201702263526240197   整理番号：17A0375104

BiFeO_3ナノ粒子の構造的,光学的および磁気的性質に及ぼすEu,Mn共ドーピングの影響【Powered by NICT】

Effect of Eu, Mn co-doping on structural, optical and magnetic properties of BiFeO₃ nanoparticles

著者 (14件)： Zhu Yiyi (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Quan Chuye (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Ma Yuhui (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Wang Qi (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Mao Weiwei (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Mao Weiwei (School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), Nanjing 210023, PR China) ,  Wang Xingfu (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Wang Xingfu (School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), Nanjing 210023, PR China) ,  Zhang Jian (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Min Yonggang (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Yang Jianping (School of Science, Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), Nanjing 210023, PR China) ,  Li Xing’ao (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Huang Wei (Key Laboratory for Organic Electronics & Information Displays (KLOEID), Synergetic Innovation Center for Organic Electronics and Information Displays (SICOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), School of Materials Science and Engineering (SMSE), Nanjing University of Posts and Telec...) ,  Huang Wei (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) & Institute of Advanced Materials (IAM), National Synergistic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 30 South Puzhu Road, Nanjing 211816, PR China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57  ページ： 178-184  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチフェロイックBi_1 xEu_xFe_0Mg0.05O2.975Mn_0 0.025O_3(x=0.025,0.05,0.075,0.1)ナノ粒子をゾル-ゲル法で調製した。構造,形態,光学バンドギャップ,強誘電性と強磁性の性質に及ぼすEu,Mn共ドーピング試料の影響を系統的に調査した。X線回折とRietveld精密化データは,Eu,Mn共置換は立方晶相転移を誘発することを明らかにした。SEM画像から,全ての試料の結晶粒は形状が非対称と異常,興味深いことに,試料の粒径はドーピング後に200から500nmに減少する~100nmであった。また,エネルギー分散X線分光法(EDS)分析により試料中のドーパントの含有量を得ることができる。UV-vis吸収スペクトルはBFO中のEuとMnをドーピングするとの直接光学バンドギャップの徐々に減少を示す2.40eVから~1.49eVであった。X線光電子分光法(XPS)分析は,Eu,Mnドーピングは試料中のFe~3+イオン含有量の増加をもたらすことを明らかにした。残留磁化(M_r)と抗電場(E_c)有意に増加したがEuおよびMn共ドーピングによるものであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  抗電場 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *マンガン ,  結晶粒 ,  光学ギャップ ,  ドーパント ,  X線光電子分光法 ,  強誘電性 ,  残留磁化 ,  粒径 ,  強磁性 ,  *ナノ粒子 ,  *ユウロピウム
準シソーラス用語： *共ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： BiFeO_3 ,  ゾル-ゲル法 ,  マルチフェロイック ,  光 ,  磁気的性質 ,  強誘電特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノ粒子 ,  光学 ,  磁気的性質 ,  Eu ,  Mn ,  共ドーピング