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J-GLOBAL ID：201702263607384361   整理番号：17A0027196

AlSb挿入層を有するタイプII InAs/GaAsSb超格子による検出波長の1μmに向けての推進

Pushing Detection Wavelength Toward $1¥mu ¥text{m}$ by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers

著者 (9件)： Zhang Yanhua (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ma Wenquan (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Huang Jianliang (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Cao Yulian (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Ke (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Huang Wenjun (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhao Chengcheng (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ji Haiming (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Yang Tao (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science and the Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 9  ページ： 1166-1169  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlSb挿入層を有するタイプII型InAs/GaAsSb超格子を用いた短波長p-i-n検出器について報告した。光応答は,狭帯域(δλ/λ=7.6%)であり,最大応答の波長は77Kで1.08μmであり,今まで報告の最短波長であった。AlSb薄層の挿入は,そのような短い検出波長に達するのを助けるだけでなく,暗電流を大幅に減少した。室温でおいても+3Vの大きな正のバイアス電圧を検出器に印加すると,まだ明瞭な光応答を得ることができ,そのデバイスの非常に小さい暗電流を証明した。このデバイスの量子効率は,77K,1.08μmで23%であり,0.21A/Wの応答性に対応した。ゼロバイアスでの抵抗と面積の積R₀Aは77Kで1.7×10⁷Ω・cm²,300Kで121Ω・cm²であった。そのデバイスのJohnson雑音制限検出率D^*は,77Kで波長1.08μmに対して1.1×10¹³Jonesであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *超格子 ,  *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *半導体検出器 ,  狭帯域 ,  暗電流 ,  熱雑音
準シソーラス用語： *GaAsSb ,  *InAs ,  *PIN型半導体検出器

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： タイプ ,  InAs ,  GaAsSb ,  超格子 ,  波長 ,  推進