文献

J-GLOBAL ID：201702263933130688   整理番号：17A0399715

プラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させた半極性(20 <span style=text-decoration:overline>2</span> 1)および非極性(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0)InGaNへのインジウム取り込み【Powered by NICT】

Indium incorporation in semipolar ( 20 <span style=text-decoration:overline>2</span> 1 ) and nonpolar ( 10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0 ) InGaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

著者 (10件)： Sawicka M. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Sawicka M. (TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Feduniewicz-Zmuda A. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Krysko M. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Turski H. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Muziol G. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Siekacz M. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Wolny P. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Skierbiszewski C. (Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland) ,  Skierbiszewski C. (TopGaN Sp. z o.o., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 459  ページ： 129-134  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半極性(20 <span style=text-decoration:overline>2</span> 1),非極性m面(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0)と極性c面(0001)GaNとInGaN層をプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させた。Gaリッチ条件下で成長させた半極性および非極性GaNの表面は非常に滑らかであった。Inリッチ成長条件下で成長させたInGaN層におけるインジウム取り込み効率を変化させ活性窒素流束0.41~2.03μmから570~650°Cと(ii)の温度の関数として三表面方位(i)で研究した。In含有量は全ての実験の関係(10 <span style=text-decoration:overline>1</span> 0)<(20 <span style=text-decoration:overline>2</span> 1)<<(0001)に従った。InGaN層におけるインジウム組成は成長温度の低下,(ii)調べたすべての表面配向へ施用された窒素流束の増加により増加した(i)することができた。さらに,650°C,640°Cおよび620°Cで成長させた半極性,非極性および極性InGaN層の表面形態を比較した。半極性および非極性InGaNの表面粗さの増加はc面対応物とは対照的に観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MBE成長 ,  窒素 ,  *極性 ,  *窒化ガリウム ,  *非極性 ,  窒化物 ,  プラズマ ,  *インジウム ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法 ,  表面形態 ,  成長温度 ,  活性窒素 ,  *InGaN ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A3分子ビームエピタクシー ,  B1窒化物A1原子間力顕微鏡観察 ,  A1特性化

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  半極性 ,  非極性 ,  InGaN ,  インジウム ,  取り込み