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J-GLOBAL ID：201702264158641414   整理番号：17A0448777

ITO系セラミック薄膜熱電対のアニーリング効果【Powered by NICT】

Annealing effects in ITO based ceramic thin film thermocouples

著者 (6件)： Zhao Xiaohui (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Li Haitao (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Yang Ke (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Jiang Shuwen (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Jiang Hongchuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Zhang Wanli (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 698  ページ： 147-151  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドープ酸化インジウム(InON)と酸化インジウムスズ(ITON)薄膜を高温熱電対のために窒素に富んだプラズマ中の反応性スパッタリングを用いて作製した。インジウム酸化物ベース薄膜熱電対の性能を改善するために適用した種々のアニール過程。膜中の微細構造の変化をX線光電子分光法(XPS)により明らかにした。堆積したままの膜におけるMetastably保持された窒素はアニーリング後にIn_2O_3および/または酸窒化物に変換した。N_2空気アニールしたITO薄膜熱電対で達成された直線性と高温安定性の顕著な改善。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反応性スパッタリング ,  酸化インジウム ,  高温 ,  *熱電対 ,  焼なまし ,  線形性 ,  窒素 ,  微細構造 ,  酸化インジウムスズ ,  X線光電子分光法 ,  *薄膜
準シソーラス用語： オキシナイトライド ,  窒素ドーピング ,  *アニーリング効果 ,  *セラミック薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ITO ,  薄膜熱電対 ,  XPS ,  オキシ窒化物 ,  アニーリング

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ITO ,  セラミック薄膜 ,  熱電対 ,  アニーリング効果