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J-GLOBAL ID：201702264235321784   整理番号：17A0165905

酸化酸化物薄膜トランジスタのキープロセス研究【JST・京大機械翻訳】

Key Process Research of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor with Etch Stop Layer

著者 (6件)： Gao Jincheng (BOE Technology Group Co. Ltd.) ,  Li Zhengliang (BOE Technology Group Co. Ltd.) ,  Cao Zhanfeng (BOE Technology Group Co. Ltd.) ,  Yao Qi (BOE Technology Group Co. Ltd.) ,  Guan Feng (BOE Technology Group Co. Ltd.) ,  Hui Guanbao (BOE Technology Group Co. Ltd.)
資料名： Guisuanyan Tongbao  (Guisuanyan Tongbao)
巻： 35  号： 9  ページ： 2946-2949  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2439A  ISSN： 1001-1625  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 金属酸化物薄膜トランジスタ(IGZO-TFT)の特性を最適化するために,RFマグネトロンスパッタリング法を用いて,IGZO薄膜を半導体活性層として用いて,エッチング(STOP STOP LAYER,ESL)構造を有するIGZO TFTを作製した。2.5 TFTの閾値電圧(VTH)に及ぼすO_2濃度,,堆積後のN_2Oプラズマ処理,ESLの調製温度,およびN_2O/SIH_4の比率の影響を研究するために,2.5GGを使用した。実験結果は以下を示す。IGZO堆積プロセスにおけるO_2濃度の増加、IGZO堆積後のN_2Oプラズマ処理とESL調製温度の低下はIGZO TFTのVTH正偏移を招く。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  酸化物 ,  プラズマ処理 ,  活性層 ,  *薄膜トランジスタ ,  *薄膜 ,  エッチング ,  金属酸化物 ,  酸化 ,  最適化
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： IGZO TFT ,  etch stop layer ,  N_2O plasma ,  threshold voltage

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  キー ,  プロセス ,  研究