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J-GLOBAL ID:201702264272373186   整理番号:17A0210443

高濃度金属1T相を有する単層MoS2xSe2(1-x)とMoxW1-xS2ナノシートの調製

Preparation of Single-Layer MoS2 xSe2(1- x ) and MoxW1- xS2 Nanosheets with High-Concentration Metallic 1T Phase
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資料名:
巻: 12  号: 14  ページ: 1866-1874  発行年: 2016年04月13日 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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約66%の金属1T相を有する単層の三元遷移金属ジカルコゲナイドナノシートの高収率かつスケーラブルな製造において,電気化学的なLiインターカレーション法および剥離法により,MoS2xSe2(1-x)とMoxW1-xS2を調製した。フッ素をドープした酸化スズ基板上にドロップ・キャストしたナノシート薄膜は,色素増感型太陽電池での三ヨウ化物還元のための対電極上の効率的な電極触媒として使用された。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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