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J-GLOBAL ID：201702264300631959   整理番号：17A0794826

p-SiGeへの2×10~ 9 Ωcm2接触抵抗率の周りの低温達成で形成されたTiSi(Ge)接触【Powered by NICT】

TiSi(Ge) Contacts Formed at Low Temperature Achieving Around $2 ¥,¥, ¥times ¥,¥, 10^{-{9}}¥Omega $ cm2 Contact Resistivities to p-SiGe

著者 (10件)： Yu Hao (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgium) ,  Schaekers Marc (imec, Leuven, Belgium) ,  Zhang Jian (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Wang Lin-Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Everaert Jean-Luc (imec, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi Naoto (imec, Leuven, Belgium) ,  Jiang Yu-Long (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, China) ,  Mocuta Dan (imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert Nadine (imec, Leuven, Belgium) ,  De Meyer Kristin (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 2  ページ： 500-506  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二種類の低温接触形成方法と高度にドープしたp-SiGeで達成された超低接触抵抗率(ρ_c)を報告した。一つの方法は~500°C急速熱処理(RTP)をベースにしたTi germanoけい化物化を有するprecontact非晶質化注入を組み合わせρ_c達成された 2.9×10~ 9 Ωcm~2であった。もう一つの方法は,同時蒸着したTiSi-Ti:Si=1:1 を組み合わせ~450°CRTPに基づくTiシリサイド化とρ_c達成された 1.7×10~ 9 Ωcm~2であった。ρ_cは最小に達すると,TiSi(Ge)合金は,中に小さな微結晶を持つ一般的に非晶質,純粋なSi基板上に以前の観察と類似していた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アモルファス化 ,  非晶質 ,  ドーピング ,  同時蒸着 ,  RTA【熱処理】 ,  合金 ,  ケイ化物 ,  微結晶 ,  *低温
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  *比接触抵抗 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiGe ,  接触抵抗率 ,  低温 ,  Ge