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J-GLOBAL ID：201702264350359384   整理番号：17A0703635

van der Waalsヘテロ構造ZrS_2/HfS_2の電場誘起電子特性改質【Powered by NICT】

Electric field induced electronic properties modification of ZrS₂/HfS₂ van der Waals heterostructure

著者 (5件)： Shang Jimin (School of Physics and Electronics Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou 453002, China) ,  Zhang Shuai ,  Cheng Xuerui ,  Wei Zhongming ,  Li Jingbo
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 24  ページ： 14625-14630  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を用いて,外部電場によって変調されたZrS_2/HfS_2ヘテロ構造の電子特性を調べた。間接バンドギャップを持つ固有I型バンド整列を実証した,これは電場を印加してII型に調整することができた。最低エネルギーをもつ電子-正孔対の空間分布はそれに応じてヘテロ構造の異なる層の間の分離した。さらに,バンドギャップは線形変化を示し,半導体-金属転移を実現できる。基になる機構は,バンド端の線形シフトと共に各層の分割準Fermi準位,外部電場によって駆動されるヘテロ構造の層の間の電荷移動により誘起されたと考えることができる。著者らの結果は,光電子デバイスにおけるZrS_2/HfS_2ヘテロ構造の大きな応用の可能性を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属-半導体転移 ,  空間分布 ,  計算 ,  バンドギャップ ,  *電場 ,  Fermi準位 ,  アラインメント ,  線形性 ,  電荷移動 ,  電子正孔対
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  バンド端 ,  間接バンドギャップ ,  外部電場 ,  第一原理計算 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： VAN ,  ヘテロ構造 ,  電場 ,  誘起 ,  電子 ,  改質