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J-GLOBAL ID：201702264682132893   整理番号：17A0260659

P型SI_(80)GE_(20)B_(0.6)-SICナノ複合材料の微細構造と熱電特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Microstructure and Thermoelectric Properties of p-type Si_(80)Ge_(20)B_(0.6)-SiC Nanocomposite

著者 (5件)： Yang Xiaoyan (Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences) ,  Wu Jiehua (Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences) ,  Ren Dudi (Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Tiansong (Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Lidong (Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 31  号： 9  ページ： 997-1003  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SI_(80)GE_(20)B_(0.6)-SICナノ複合材料を,誘導融解,ボールミル粉砕および放電プラズマ焼結によって調製した。材料の熱電特性に及ぼすSI_(80)GE_(20)B_(0.6)結晶粒度と複合SICナノ粒子の影響を系統的に研究した。ボールミル粉砕によるSI_(80)GE_(20)B_(0.6)の結晶粒度の減少は,結晶粒界の数を増加させ,結晶粒界における長波長フォノンの散乱を強化し,材料の格子熱伝導度を効果的に減少させることができた。SI_(80)GE_(20)B_(0.6)マトリックス中に均一に分布したナノSIC粒子は、散乱中心と界面を提供し、更にフォノン散乱を増強し、材料の格子熱伝導度を低下させることができる。ナノ構造化とSICナノ複合材料の共同作用の下で,1000Kでの熱電指数ZTは0.62に達し,基板のものより17%高かった。ナノ構造化とナノ複合材料は,SIGE合金の熱電特性を改善することができることを証明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 放電プラズマ焼結 ,  協力作用 ,  フォノン ,  界面 ,  結晶粒度 ,  誘導融解 ,  ナノ粒子 ,  *ナノ複合材料 ,  熱伝導率 ,  ナノ構造 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  散乱中心 ,  ボールミル摩砕 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiGe alloys ,  SiC nanoparticle dispersion ,  thermoelectric material ,  nanocomposite ,  nanostructuring

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  圧粉,焼結  (WC02030X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ複合材料 ,  微細構造 ,  熱電特性 ,  研究