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J-GLOBAL ID：201702264761286149   整理番号：17A0665291

(In_1/2Nb_1/2)_xTi_1 xO_2における見かけの巨大誘電率の起源(s):DCバイアスによる強く誘起されたMaxwell-Wagner分極緩和の解明【Powered by NICT】

Origin(s) of the apparent colossal permittivity in (In_1/2Nb_1/2)_xTi_1-xO₂: clarification on the strongly induced Maxwell-Wagner polarization relaxation by DC bias

著者 (6件)： Tuichai Wattana (Department of Physics, Faculty of Science, Khon Kaen University, Khon Kaen 40002, Thailand. [e-mail]) ,  Danwittayakul Supamas ,  Chanlek Narong ,  Srepusharawoot Pornjuk ,  Thongbai Prasit ,  Maensiri Santi
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 1  ページ： 95-105  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共ドープ(In_1/2Nb_1/2)xTi_1 xO_2(IN T)の誘電性と電気的性質に及ぼすDCバイアスの影響,x=0~0.05および0.1,および単一ドープTi_0Mg0.05O2.975Nb_0 0.025O_2セラミックを調べた。低周波誘電率(ε′)とx=0~0.05および0.1のINTセラミックの損失正接は大きく40と20VでのDCバイアスを印加することにより増強したが,比較的高周波ε′は不変のままであった。誘起低周波Maxwell-Wagner分極はDCバイアスをかけない直ちににより消失した。過負荷制限測定後,この分極はDCバイアスなしに生じる永久,一次分極は不変のままであった。複合Z′′とM′′分光プロットを用いて,強く誘導分極は,試料-電極接触と抵抗外表面の併用効果からの寄与であることが分かった。INTセラミックにおける巨大誘電率の非常に高い性能は抵抗外表面層と絶縁性結晶粒界の形成に起因する。これらの結果は,INTセラミック系における巨大誘電応答の起源への重要な洞察を提供するだけでなく,実用的な応用のためのTiO_2~系材料のドーピング条件を決定するためにも重要である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 損失正接 ,  *緩和現象 ,  電極 ,  セラミック ,  HF【周波数】 ,  ドーピング ,  併用効果 ,  LF【周波数】 ,  *バイアス ,  誘電性 ,  *誘電率 ,  *分極 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 誘電応答 ,  *巨大誘電率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 巨大誘電率 ,  起源 ,  DC ,  誘起 ,  Maxwell-Wagner分極 ,  緩和