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J-GLOBAL ID：201702264914429892   整理番号：17A0300914

グラフェントランジスタの移動度を効果的に向上させる方法を提案した。【JST・京大機械翻訳】

An Effective Fabrication Approach to Mobility Enhancement in Graphene Field-Effect Transistors

著者 (5件)： Feng Zhihong (School of Precision Instrument and Opto-Electronics Engineering,Tianjin University) ,  Wang Chao (School of Precision Instrument and Opto-Electronics Engineering,Tianjin University) ,  Sun Chongling (School of Precision Instrument and Opto-Electronics Engineering,Tianjin University) ,  Zhang Daihua (School of Precision Instrument and Opto-Electronics Engineering,Tianjin University) ,  Chen Xuejiao (School of Precision Instrument and Opto-Electronics Engineering,Tianjin University)
資料名： Nami Jishu Yujingmi Gongcheng  (Nami Jishu Yujingmi Gongcheng)
巻： 14  号： 5  ページ： 356-359  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2959A  ISSN： 1672-6030  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のフォトリソグラフィーによるグラフェンチャネルの加工において,グラフェン表面のレジストは,その電気的性質に深刻な影響を及ぼし,キャリア移動度を大きく低下させる。フォトレジストの残存問題を解決するために,高分子ポリメタクリル酸メチル(POLY)(PMMA)をバッファ層として用いて,グラフェンとフォトレジストを分離して,グラフェン表面を効果的に保護することができて,グラフェンを清浄な表面に保つことができた。電気的測定結果は,従来のリソグラフィー法と比較して,この方法によって調製したグラフェンの電界移動度が5倍向上することを示した。また、高分子の補助的な転移方法を採用することによって、大面積のグラフェンの転移を実現できる。RAMANスペクトルデータによると、この転移方法はグラフェンによる汚れと破損に対して非常に弱い。この加工技術はCMOSプロセスと互換性があるだけでなく、各種グラフェンベースのマイクロエレクトロニクスデバイスにも適用できる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バッファ層 ,  *移動度 ,  高分子 ,  電気測定 ,  フォトリソグラフィー ,  キャリア移動度 ,  互換性 ,  リソグラフィー ,  *グラフェン ,  フォトレジスト ,  エレクトロマイグレーション ,  レジスト
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  大面積 ,  *グラフェントランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： graphene ,  PMMA ,  carrier mobility ,  field-effect transistor

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェントランジスタ ,  移動度 ,  提案