文献

J-GLOBAL ID：201702264948005080   整理番号：17A0025013

ECDおよびCBD法の組合せによるZnO/SnSヘテロ接合中のZnO成長特性【Powered by NICT】

ZnO Growth Properties in ZnO/SnS Heterojunction by a Combination of ECD and CBD Method

著者 (6件)： Yunus S.H.A. ,  Sahdan M.Z. ,  Kamaruddin S.A. ,  Rahim M.S. ,  Supee A. ,  Ichimura M.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WSCAR  ページ： 130-133  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 亜鉛酸化物薄膜を化学浴析出(CBD)法によるN2O6Zn H2OとC6H12N4の水溶液から一硫化スズ薄膜上に堆積し,ZnO/SnSヘテロ接合を生成した。前に,SnSは電気化学的析出(ECD)法によるインジウム-すず-酸化物(ITO)被覆ガラス基板上に堆積した。ZnO成長特性は,表面形態,X線回折(XRD)スペクトル,厚さ,化学組成と電流密度-電圧(J V)測定から調べた。ZnO試料は三種々の蒸着時間,90°Cの溶液温度で10時間,20時間と30時間を用いて堆積した。,成長特性を,電界放出走査電子顕微鏡(FESEM),XRD,電流-電圧(I V)二点プローブ,エネルギー分散型X線分光法(EDX)および表面プロファイラを用いて調べた。ZnO/SnSヘテロ接合の厚さは1.25 2.00μmであり,ZnOナノロッドの直径は1.11 2.92μmであった。XRDから観測されたZnOピークのすべてはウルツ鉱型構造と斜方晶構造に対応するSnSピークのすべてに対応した。添加では,堆積時間はJ-V特性に影響を及ぼし,J-V曲線はSchottkyダイオード特性を持つZnO/SnSヘテロ接合を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： インジウム ,  亜鉛 ,  *酸化亜鉛 ,  化学組成 ,  スズ ,  *ヘテロ接合 ,  電流密度 ,  X線回折 ,  電着 ,  水溶液 ,  Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  表面形態 ,  ガラス基板 ,  酸化物薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ECD ,  CBD ,  組合せ ,  ZnO ,  SNS ,  ヘテロ接合 ,  成長特性