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J-GLOBAL ID：201702265027761166   整理番号：17A0666306

二重独立ゲートFinFETのための連続コンパクトDCモデル【Powered by NICT】

A Continuous Compact DC Model for Dual-Independent-Gate FinFETs

著者 (3件)： Hasan Mehdi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Gaillardon Pierre-Emmanuel (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Sensale-Rodriguez Berardi (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 1  ページ： 23-31  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複数の独立したゲート(MIG)シリコンFinFETは最近可能にすることができることが示された1)レベルの極性制御2)動的しきい値変調超急傾斜地手術まで3)サブしきい値勾配調整と。これらの動作メカニズムは,ディジタルと同様にアナログ設計における機会の無数の扉を開くことができる。ここでは,コンパクトな連続直流(dc)モデル,全てのバイアス設計空間,すなわち二重独立ゲート(DIG)FinFET,クラスMIGフィンFETsの電流-電圧特性を記述することができるを検討した。このモデルはドレインバイアスと極性ゲートバイアスへの超急峻サブ閾値スイングの依存性を含むDIG FinFETのユニークな特徴のいくつかを捕獲した。優れた一致は,モデルを示し,実験電流-これらのデバイスの電圧特性を測定した。さらに,モデルの予測性質は非常に高い周波数での効率的なRF検出器としてのDIG FinFETの展望を予想することにより評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  バイアス ,  極性 ,  ディジタル方式 ,  検出器 ,  *モデル ,  予測 ,  直流 ,  ケイ素
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  ゲートバイアス ,  電圧プロフィル ,  設計空間 ,  サブ閾値 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  楽器音響  (BB03070Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  FinFET ,  コンパクト ,  DC ,  モデル