文献

J-GLOBAL ID：201702265038888965   整理番号：17A0300916

MOS_2とMOSE_2合金のポンププローブ信号を比較した。【JST・京大機械翻訳】

Pump-Probe Signal Comparison of MoS_2 :MoSe_2 Alloy in Different Proportions

著者 (5件)： Zhang Yudao (School of Physics,Peking University) ,  Qiu Jun (Anqing Perfect Crystal New Material Co.,Ltd.) ,  Zhang Zhiming (School of Physics,Peking University) ,  Li Lingli (School of Physics and Electronic Engineering,Anqing Normal University) ,  Ge Shaofeng (School of Physics,Peking University)
資料名： Nami Jishu Yujingmi Gongcheng  (Nami Jishu Yujingmi Gongcheng)
巻： 14  号： 5  ページ： 365-368  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2959A  ISSN： 1672-6030  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 近年、単層VI族遷移金属化合物化合物は半導体中の新奇な物理性質を探求する理想的な研究プラットフォームとなっている。これらの単層直接バンドギャップ半導体材料は多くの独特な性質により、人々の幅広い注目を集めている。二Xi化Mu(MOSE_2)と二硫化モリブデン(MOS_2)の二次元合金材料のキャリア動力学特性を,ポンププローブ法(PUMP-PROBE)を用いて研究した。実験結果によると、キャリアの緩和過程は混合物MOS_XSE_(2-X)の配置比率によって著しく変化する。本論文では、この結果に対して初歩的な分析を行い、ドーピングが材料のキャリア散乱に与える影響について議論した。そのため、MOSE_2とMOS_2の混合比率を調節することによって、キャリアの緩和時間を調節することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単一層 ,  キャリア散乱 ,  ポンププローブ法 ,  遷移金属化合物 ,  混合比 ,  キャリア ,  半導体 ,  緩和時間 ,  二次元 ,  *合金 ,  緩和現象 ,  半導体材料
準シソーラス用語： キャリア動力学 ,  二硫化モリブデン ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： femtosecond laser ,  pump-probe ,  two-dimensional alloy ,  molybdenum disulfide

分類 (9件)： 強化プラスチックの成形  (YH04060J) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  機械的性質  (YH02022L) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  基礎腫よう学一般  (GE02010R) ,  多糖類  (CF10054P) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  エネルギー貯蔵  (LC02000F) ,  非金属のその他の熱的性質  (BL05040J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 合金 ,  プローブ