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J-GLOBAL ID：201702265091198468   整理番号：17A0107818

薄膜トランジスタにおける高性能HFO_2の低温調製に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Thin Film Transistor with High Performance HfO_2 Coatings Synthesized at Low Temperature

著者 (14件)： Tao Ruiqiang (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Yao Rihui (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Zhu Feng (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Hu Shiben (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Liu Xianzhe (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Zeng Yong (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Chen Jianqiu (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Zheng Zeke (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Cai Wei (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Ning Honglong (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Xu Miao (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Lan Linfeng (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Wang Lei (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology) ,  Peng Junbiao (Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices,Material College,South China University of Technology)
資料名： Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao  (Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao)
巻： 36  号： 8  ページ： 862-865  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2159A  ISSN： 1672-7126  CODEN： CKKSDV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 電子ビーム蒸着によりITO上にHFO_2を堆積させ,その電気的性質に対する異なるアニーリングプロセスの影響を調べた。450°CでのO_2アニーリングにより,HFO_2の漏れ電流は急速に増加し,X線回折により,HFO_2が単斜晶などの結晶を生成することを示した。450°CでのN_2アニーリングにより,HFO_2の結晶構造と結晶粒界構造はなく,N_2雰囲気でアニールしたHFO_2は,O_2雰囲気でアニールしたものの約1/10であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単斜晶系 ,  *低温 ,  漏れ電流 ,  結晶構造 ,  電子ビーム蒸着 ,  高速度 ,  結晶粒界 ,  電気的性質 ,  X線回折 ,  *薄膜トランジスタ ,  焼なまし

著者キーワード (5件)： HfO_2 ,  Gate dielectric layer ,  Electron beam evaporation ,  Annealing ,  TFT

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜トランジスタ ,  低温 ,  調製 ,  研究