文献
J-GLOBAL ID:201702265207879985   整理番号:17A0373332

Bi_2S_3ナノロッド薄膜の溶液処理した成長と光電気化学【Powered by NICT】

Solution processed growth and photoelectrochemistry of Bi2S3 nanorods thin film
著者 (7件):
資料名:
巻: 332  ページ: 174-181  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0721B  ISSN: 1010-6030  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
硫化ビスマス(Bi_2S_3)は,クラス非毒性半導体材料の金属カルコゲニドのファミリー,光起電および熱電応用の重要性はよく認識されているに属していた。溶液プロセス法により塩化ビスマスとチオアセトアミドの溶液から結晶Bi_2S_3ナノロッド(NR)薄膜を作製することに成功した。Bi_2S_3NRsの成長過程の可能な機構を提案した。X線回折(XRD),エネルギー分散分析(EDX),電界放出走査電子顕微鏡(FE SEM),透過型電子顕微鏡(TEM),brunauer emmett Teller(BET)表面積,および光電気化学電池による特性化調製したBi_2S_3NR膜を研究した。Bi_2S_3NRの形態は1太陽照射下において0Vバイアス条件で光電流密度0.20mA~2を明らかにした。Bi_2S_3NRの電荷輸送特性をインピーダンス分光分析を用いて調べた。この調製方法は,スケールアッププロセスのための経済的であり,他の金属硫化物半導体の調製にも適用できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電気化学反応  ,  光化学反応 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る