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J-GLOBAL ID：201702265287990525   整理番号：17A0703686

Au修飾されたp-GaN膜の青色発光増強の根底にある機構【Powered by NICT】

Underlying mechanism of blue emission enhancement in Au decorated p-GaN film

著者 (8件)： Qin Feifei (State Key Laboratory of Bioelectronics, Department of Physics, Southeast University, Nanjing 210096, P. R. China. [e-mail]) ,  Chang Ning ,  Xu Chunxiang ,  Zhu Qiuxiang ,  Wei Ming ,  Zhu Zhu ,  Chen Feng ,  Lu Junfeng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 25  ページ： 15071-15076  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属構造に励起された局在表面プラズモン(LSP)は,しばしば半導体の光ルミネセンス(PL)を仲介する重要な役割を果たしている。p-GaN膜,LSP結合に起因するために,青色発光が増強された欠陥関連の緑色発光はAuナノ粒子(NP)で修飾後の騒音レベルに急冷した。なぜ緑色光領域におけるAu SPは本論文では青色と紫外発光を増強することができ,near/far野外分光分析と一連のシミュレーションは,このプロセスを理解するために実施した。LSP誘導電子移動の明確な物理的モデルは欠陥に関連したLSP発生,結合,電子移動,および緑色発光減少とさらに青色発光増加を説明するために提案した。PL測定に基づいて,絶縁SiO_2層はAuとGaNの間のLSP誘導電子移動を確認するために導入した。追加緑色光は,LSP誘導PL増強を観測し,欠陥を有する試料と同様に導入した。著者らの研究は,Auで修飾されたGaNのPL増強の機構の完全な理解を提供し,このモデルは,類似の金属/半導体系のための普遍的であるべきである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *発光 ,  *窒化ガリウム ,  半導体 ,  *金 ,  騒音レベル ,  分光分析 ,  光ルミネセンス ,  金属構造 ,  電子移動
準シソーラス用語： 二層 ,  緑色光 ,  金ナノ粒子 ,  緑色発光 ,  局在表面プラズモン ,  *青色発光 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  修飾 ,  GaN ,  青色発光 ,  増強