Cu_3In_5Te_9規則化欠陥半導性化合物の構造特性と光吸収スペクトル【Powered by NICT】

Guedez E.; Mogollon L.; Marcano G.; Wasim S.M.; Sanchez Perez G.; Rincon C.

文献

J-GLOBAL ID：201702265419772439 整理番号：17A0363813

Cu_3In_5Te_9規則化欠陥半導性化合物の構造特性と光吸収スペクトル【Powered by NICT】

Structural characterization and optical absorption spectrum of Cu₃In₅Te₉ ordered defect semiconducting compound

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巻： 186 ページ： 155-157 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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最近になって熱電応用のための優れた候補として出現してきた,秩序化欠陥化合物Cu_3In_5Te_9の結晶構造をX線粉末回折データを用いたRietveld法により精密化した。はこの材料は空間群I<span style=text-decoration:overline>~4</span>(No. 82)を有する正方晶系秩序化した欠陥黄銅鉱またはチオガリウム酸構造に結晶化することを確立した。基礎吸収端近傍の光吸収スペクトルの解析から,エネルギーギャップは直接許容バンドギャップエネルギーは室温で約0.952eVであることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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