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J-GLOBAL ID：201702265640148650   整理番号：17A0886823

シリコンナノワイヤISFETセンサの信号対雑音比の最適化【Powered by NICT】

Optimization of Signal to Noise Ratio in Silicon Nanowire ISFET Sensors

著者 (6件)： Cho Hyeonsu (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Kim Kihyun (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Yoon Jun-Sik (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Rim Taiuk (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Meyyappan M. (NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA, USA) ,  Baek Chang-Ki (Department of Creative IT Engineering and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 17  号： 9  ページ： 2792-2796  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反転モード(IM)と空乏モード(DM)イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)をdc特性,pH応答と低周波雑音(LFN)特性の観点から検討した。dc特性はDM ISFETのための28mVの低いしきい値電圧(V_TH),擬参照電極の長寿命のための好まれるを示した。DM ISFETはサブしきい値領域,低サブ閾値スイングに由来するにおける増強されたpH応答を示した。両デバイスのためのLFN解析はV_TH付近の騒音等価電流(I_n。RMS)の類似したレベルを示した;,I_nの還元。RMSは,線形領域でDM ISFETで得られた。さらに,DM ISFETの信号対雑音比はサブしきい値領域におけるIM ISFETと比較して82.9%改善された。DM ISFETは,低電力のポータブル,および高精度性能の良好なセンサプラットフォームであることができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  低周波雑音 ,  *SN比 ,  線形性 ,  *ISFET ,  pH依存性 ,  *最適化 ,  基準電極 ,  *センサ ,  騒音 ,  携帯型
準シソーラス用語： 高精度 ,  サブ閾値スイング ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンナノワイヤ ,  ISFET ,  信号対雑音比 ,  最適化