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J-GLOBAL ID:201702265723636662   整理番号:17A0473534

レーザドーピングによる15.6×15.6cm~2インターディジテーテド裏面接触シリコン太陽電池のためのプロセス簡単化【Powered by NICT】

Process simplification for 15.6×15.6cm2 interdigitated back contact silicon solar cells by laser doping
著者 (13件):
資料名:
巻: 163  ページ: 66-72  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,pseudosquare15.6×15.6cm~2交差指型背面接触(IBC)CZ-Si太陽電池のための工程合理化を提案した。選択的BSFを作成するためにレーザドーピングを用いて,三拡散と湿式エッチング段階の1つを回避し,完全に拡散プロセスフローに比較することができる。の観点からこの単純化したセル構造の数値最適化:1)追加SiN_xキャッピング層をもつ背面光学,ii)選択的B SFの接触画分を示した。結果は239cm~2の領域に亘って測定した21.7%のトップセル効率を特徴とする。更なる特性化は,細胞が主ににより制限されたことを意味する:1)FF損失BSF領域と増加したJ_02損失における横方向多数キャリア輸送に起因し,ii)B SF領域に関連する電流損失。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (5件):
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