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J-GLOBAL ID：201702265814028709   整理番号：17A0697414

ふっ素をドープした酸化亜鉛スズ薄膜中の点欠陥の物理化学【Powered by NICT】

Physicochemistry of point defects in fluorine doped zinc tin oxide thin films

著者 (3件)： Salameh B. (Department of Physics, Kuwait University, 13060 Safat, Kuwait) ,  Alsmadi A.M. (Department of Physics, Kuwait University, 13060 Safat, Kuwait) ,  El Akkad F. (Department of Physics, Kuwait University, 13060 Safat, Kuwait)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 626  ページ： 76-84  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 35at.%までZn濃度を有する亜鉛すず酸化物(ZTO)とFをドープした酸化亜鉛スズ(FZTO)薄膜を,化学噴霧熱分解法により調製した。X線回折結果は,酸素空格子点へのふっ素の導入によるふっ素または添加ZnのドーピングまたはZnによる宿主Sn原子の置換により酸化スズの格子の膨張を示した。FZTO膜のX線光電子分光法の結果は,範囲(1.71 9.66)×10~20cm~ 3における10~~21 10~22cm~ 3中の酸素空格子点濃度[V_O]および置換型ふっ素濃度[F_O]が得られた。比較的低いZn濃度ではH all効果を用いて測定した電子濃度は二桁の大きさで[V_O]よりも[F_O]に近いが低かった。結果は,中性酸素空格子点を示唆した。全体的な結果は,すずは研究したZn濃度の全範囲で四価の酸化状態にあることを示した。調査したすべての膜は,可視範囲(T≧82%)で高い透明性を示した。さらに,光透過率は自由キャリア吸収による近赤外領域における尾を示した。FZTO膜の光学エネルギーギャップは3.86eV,4~0.45eV範囲で低下し,Burstein-Moss効果による自由キャリア濃度の増加に伴うUVシフトを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギーギャップ ,  酸化スズ ,  *フッ素 ,  *点欠陥 ,  *ドーピング ,  *スズ ,  透過率 ,  X線回折 ,  *薄膜 ,  X線光電子分光法 ,  *亜鉛 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： 自由キャリア ,  光透過率 ,  酸素空格子点 ,  噴霧熱分解法 ,  *酸化亜鉛スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 薄膜 ,  噴霧熱分解 ,  亜鉛すず酸化物 ,  ふっ素ドープ亜鉛すず酸化物 ,  点欠陥 ,  Burstein-Moss効果

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ふっ素 ,  ドープ ,  酸化亜鉛スズ ,  薄膜 ,  点欠陥 ,  物理化学