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J-GLOBAL ID：201702265825119215   整理番号：17A0392092

MMIC応用のためのGaNH EMTの小信号スイッチモデル【Powered by NICT】

Small-signal switch model of GaN HEMTs for MMIC applications

著者 (5件)： Du Lin (Xidian University) ,  Yang Xiaofeng (School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications) ,  Li Yang (Xidian University) ,  Zhang Jincheng (Xidian University) ,  Hao Yue (Xidian University)
資料名： Zhongguo Youdian Gaoxiao Xuebao(Yingwenban)  (Zhongguo Youdian Gaoxiao Xuebao(Yingwenban))
巻： 23  号： 5  ページ： 56-60  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2643A  ISSN： 1005-8885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御装置として対称構造を持つ窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を本論文で議論した。等価回路モデルは,GaNH EMTデバイスの物理的および電気的特性に基づいて提案した。0.5μmゲート長と6×125μmゲート幅をもつトランジスタを作製しモデルであり,ON状態とOFF状態に起因する単極単投(SPST)スイッチとして扱うことができるを検証することである。測定結果は,シミュレーション結果は,提案したモデルの有効性を実証すると良い一致を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチ ,  トランジスタ ,  対称性 ,  シミュレーション ,  電気的性質 ,  窒化ガリウム ,  *MMIC ,  HEMT ,  制御装置
準シソーラス用語： オフ状態 ,  オン状態 ,  ゲート幅 ,  ゲート長 ,  等価回路モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaNH EMT ,  スイッチモデル ,  対称構造 ,  MMIC

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MMIC ,  応用 ,  EMT ,  モデル