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J-GLOBAL ID：201702266064338213   整理番号：17A0831345

フェムト秒レーザ照射下での硫黄ドープシリコンの広帯域赤外応答【Powered by NICT】

Broadband infrared response of sulfur hyperdoped silicon under femtosecond laser irradiation

著者 (10件)： Zhang Ting (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China) ,  Ahmad Waseem (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China) ,  Liu Bohan (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China) ,  Xuan Yaoyu (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China) ,  Ying Xiangxiao (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China) ,  Liu Zhijun (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China) ,  Li Yuankai (The Second Research Institute of CAAC, Chengdu, Sichuan 610041, China) ,  Chen Zhi (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China) ,  Chen Zhi (Department of Electrical & Computer Engineering and Center for Nanoscale Science & Engineering, University of Kentucky, Lexington, KY 40506, USA) ,  Li Shibin (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, Sichuan 610054, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 196  ページ： 16-19  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広帯域赤外応答は,シリコンベース光検出器への応用の可能性のために大きな注目を集めている。フェムト秒レーザ照射下での硫黄超高濃度ドープシリコンの広帯域赤外応答を研究した。作製したPNフォトダイオードは,電磁スペクトルの近赤外および中赤外領域に幾つかの光応答スペクトルピークを示した。異なるサブバンドギャップ光応答特徴に対応する開始エネルギーはシリコンバンドギャップ内の既知の硫黄の活性エネルギー準位と一致した。この技術は低コスト広帯域シリコンベース検出器を作製するための有望なアプローチを提供するかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フェムト秒レーザ ,  *硫黄 ,  フォトダイオード ,  応答スペクトル ,  *広帯域 ,  エネルギー準位 ,  スペクトル ,  光検出器 ,  検出器 ,  近赤外線
準シソーラス用語： 光応答 ,  サブバンドギャップ ,  赤外領域 ,  高濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Hyperdopedシリコン ,  フェムト秒レーザ照射 ,  広帯域赤外応答

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  ガラスの製造  (YC02020O)

タイトルに関連する用語 (7件)： フェムト秒レーザ ,  硫黄 ,  ドープ ,  シリコン ,  広帯域 ,  赤外 ,  応答