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J-GLOBAL ID：201702266165106906   整理番号：17A0764945

スピンバルブ構造における応力により誘起された磁気抵抗効果【Powered by NICT】

The magnetoresistive effect induced by stress in spin-valve structures

著者 (5件)： Peng Xian-De (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Tao (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Fang-Wei (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Huang Wan-Guo (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences) ,  Cheng zhao-Hua (Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 6  ページ： 2589-2595  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自由エネルギー最小化法を用いて,本論文では,応力場下での強磁性(FM)単分子層とFM/反強磁性体(A FM)2層膜の磁化特性を調査した。スピンバルブ構造,FM単分子層とFM/AFM二層によって構築されたの磁気抵抗(MR),および印加応力場への依存性を調べた。結果は応力場の下で,FM単分子層の磁化特性は,FM/AFM二層のそれとは明らかに異なることを示し,結合A FM層は,FM層の磁化を阻止する明らかにできるからである。この現象は,スピンバルブ構造明らかになっのMRを示した。詳細では,FM層とFM/AFM二分子層間の結合(FM結合またはA FM結合)によって区別される応力場にスピンバルブ構造依存性のMRの二挙動が存在する。スピンバルブ構造のMRの挙動は,その値と方位を含む応力場に依存する。これらの研究に基づいて,ナノスケールでの完全な機械的センサを実験的に考案されことが示唆された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応力場 ,  磁化特性 ,  二分子層 ,  強磁性 ,  センサ ,  *磁気抵抗効果 ,  単分子層 ,  磁化 ,  *磁気抵抗 ,  反強磁性体
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *スピンバルブ ,  印加電圧 ,  二層 ,  *スピンバルブ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 磁化 ,  磁気抵抗 ,  スピンバルブ構造 ,  応力場

分類 (3件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピンバルブ構造 ,  応力 ,  誘起 ,  磁気抵抗効果