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J-GLOBAL ID：201702266210858884   整理番号：17A0375117

半極性(11 2 2)面Al_0 45Ga_0Ga0.55Nエピ層の特性に及ぼすSiドーピングの影響【Powered by NICT】

Effects of Si-doping on characteristics of semi-polar ( 11 2 2 ) plane Al_0.45Ga_0.55N epi-layers

著者 (6件)： Dai Qian (Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, People’s Republic of China) ,  Zhang Xiong (Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, People’s Republic of China) ,  Zhao Jianguo (Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, People’s Republic of China) ,  Luan Huakai (Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, People’s Republic of China) ,  Liang Zongwen (Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, People’s Republic of China) ,  Cui Yiping (Advanced Photonics Center, School of Electronic Science and Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 58  ページ： 30-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のSiドーピングレベルの半極性(11 2 2)面Al_0 0.45Ga_0Ga0.55Nエピ層を有機金属化学蒸着(MOCVD)により(10 10)m面サファイア基板上に堆積することに成功した。またエピ層試料の特性に及ぼすSiドーピングの影響を,高分解能X線回折(HR XRD),原子間力顕微鏡(A FM),Raman分光法およびH all効果測定により広範囲に調べた。キャラクタリゼーションの結果は,堆積したままのAl_0 0.45Ga_0Ga0.55N膜中の圧縮歪は,Siドーパントにより誘起された増強された転位運動のために適切なシラン(SiH_4)モル流量とSiドーピングによって完全に緩和されることを示した。この事実は,半極性(11 2 2)面Al_0 0.45Ga_0Ga0.55Nエピ層へのSiドーピングは転位の相互作用と消滅に特に有益であることを意味し,結晶品質の著しい改善をもたらした。さらに,A FMにより検出された最小二乗平均平方根(RMS)は1.47nmであり,電子濃度と移動度は,同じ試料に対して1.8×10~19cm~ 3と36.65cm~2V~ 1s~ 1であることをHall効果測定でそれぞれ測定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  実効値 ,  *ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  ドーパント ,  MOCVD ,  Raman分光法 ,  移動度
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  結晶品質 ,  圧縮歪 ,  高分解能X線回折 ,  サファイア基板 ,  *エピタキシャル層 ,  *半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 半極性(1122)面AlGaN ,  Siドーピング ,  歪緩和 ,  転位運動

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半極性 ,  エピ層 ,  Si ,  ドーピング