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J-GLOBAL ID：201702266241046667   整理番号：17A0475861

高電子移動度2.43cm~2V~ 1S~ 1のを示す高速空気中で安定なn型電界効果トランジスタのための新しいベンゾ[c][1,2,5]oxadiazole-ナフタレンジイミド系共重合体【Powered by NICT】

Novel benzo[c][1,2,5]oxadiazole-naphthalenediimide based copolymer for high-performance air-stable n-type field-effect transistors exhibiting high electron mobility of 2.43 cm² V^-1 s^-1

著者 (6件)： Zhao Zhiyuan (Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology under Ministry of Education, Northeast Normal University, Changchun 130024, P. R. China. [e-mail]) ,  Yin Zhihong ,  Chen Huajie ,  Guo Yunlong ,  Tang Qinxin ,  Liu Yunqi
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 11  ページ： 2892-2898  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強力な電子吸引性ベンゾ[c][1,2,5]オキサジアゾール(BOZ),第二電子アクセプタセグメントとしてを初めてナフタレンジイミド(NDI)に基づく重合体主鎖に組み込んだ。,位置規則性A1D A2D配置をもつ単極性n型高分子半導体(PNBO)を成功裏に開発した。BOZ含有ポリマーPNBOは~1.0eVを約4の深いLUMOエネルギー準位,活性層へのAu電極からの電子注入を容易にするだけでなく,正孔注入ブロッキングのための 5.9eVの深い低HOMOエネルギー準位を有することが分かった。PNBOのキャリア輸送性能は,溶液処理可能な高分子電界効果トランジスタ(PFET)により特性化した。これらの結果は,滑らかな表面形態とコンパクトな固体積層は優れた単極性n型電子輸送特性を持つPNBOを与えることを示す;2.43cmまで~2V~ 1の最高電子移動度と70日で減衰が無視できる優れた棚貯蔵を達成した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アクセプタ ,  ブロッキング ,  高分子半導体 ,  活性層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  金 ,  HOMO ,  LUMO ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： 溶液処理 ,  キャリア輸送 ,  正孔注入 ,  電子注入 ,  単極性 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子移動度 ,  空気中 ,  電界効果トランジスタ ,  ナフタレン ,  ジイミド ,  共重合体