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J-GLOBAL ID：201702266471188598   整理番号：17A0403046

静水圧下のEsakiダイオードGaAs(Ga,Mn)の磁気輸送研究【Powered by NICT】

Magnetotransport investigations of (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diodes under hydrostatic pressure

著者 (8件)： Gryglas-Borysiewicz M. (Faculty of Physics, University of Warsaw, Poland) ,  Kwiatkowski A. (Faculty of Physics, University of Warsaw, Poland) ,  Lemaitre A. (Laboratory for Photonics and Nanostructures (CNRS), Marcoussis, France) ,  Przybytek J. (Faculty of Physics, University of Warsaw, Poland) ,  Budzik K. (Faculty of Physics, University of Warsaw, Poland) ,  Balcerzak L. (Faculty of Physics, University of Warsaw, Poland) ,  Sawicki M. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland) ,  Wasik D. (Faculty of Physics, University of Warsaw, Poland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 1875-1879  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静水圧下での強磁性(Ga,Mn)As/GaAs Esakiダイオードの最初の研究を行った。I(V)特性は不純物支援トンネリングに関係した二過剰電流領域を持つ双指数関数特性,バンド間トンネリングを隠された,バイアスに電流の対数微分でのみ分解を示した。トンネル電流の減少は圧力下で観察した。は圧力によるエネルギーギャップの増加と禁止ギャップ中の状態密度の可能な減少の組み合わせ効果によるものとして理解されていない。トンネル異方性磁気電流(TAMI)は非単調なバイアス依存性,Sankowski(2007)による理論と合理的な一致にを示した。TAMIの全体的な特徴は圧力と共に変化しなかったが,負バイアスでTAMIの増加が観察され,正のバイアスで最小は浅くなった。(Ga,Mn)As価電子帯サブバンドの磁気異方性は静水圧によって変化しないようであるが,TAMIのより詳細な記述が観察された圧力変動を説明するために必要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 状態密度 ,  指数関数 ,  *ヒ化ガリウム ,  価電子バンド ,  不純物 ,  バイアス ,  トンネル効果 ,  *静水圧 ,  *磁気 ,  強磁性 ,  磁気異方性 ,  *トンネルダイオード
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  *磁気輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： Esakiダイオード ,  磁気輸送 ,  TAMI ,  TAMR ,  磁気異方性 ,  磁気抵抗 ,  磁気電流 ,  静水圧 ,  スピントロニクス

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 静水圧 ,  Esakiダイオード ,  GaAs ,  Ga ,  Mn ,  磁気輸送 ,  研究