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J-GLOBAL ID：201702266676363831   整理番号：17A0471242

ガスセンシング応用のためのイオン照射によるSiC上のエピタキシャルグラフェンの表面官能化【Powered by NICT】

Surface functionalization of epitaxial graphene on SiC by ion irradiation for gas sensing application

著者 (14件)： Kaushik Priya Darshni (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Kaushik Priya Darshni (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi, 110025, India) ,  Ivanov Ivan G. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Lin Pin-Cheng (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Kaur Gurpreet (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, 110007, India) ,  Eriksson Jens (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Lakshmi G.B.V.S. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi, 110067, India) ,  Avasthi D.K. (Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi, 110067, India) ,  Avasthi D.K. (Amity Institute of Nanotechnology, Noida 201313, India) ,  Gupta Vinay (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, 110007, India) ,  Aziz Anver (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi, 110025, India) ,  Siddiqui Azher M. (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi, 110025, India) ,  Syvaejaervi Mikael (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden) ,  Yazdi G. Reza (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, SE-58183 Linkoping, Sweden)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 403  ページ： 707-716  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,炭化けい素上に成長させたエピタキシャルグラフェンの表面官能化は,それらのガス検知能力を研究するためにイオン照射によって行った。四種々のフルエンスで100MeV銀イオンを用いた高速重イオン照射は,グラフェンのガスセンシング能力の形態学的および構造変化とそれらの効果を調べるためにエピタキシャルグラフェンに実装した。センシング素子は,グラフェンを用いた第一電子応用の一つとして期待されている,それらの大部分が官能化表面を特定の機能を調整する。自験例では,官能化を達成するためのツールとして照射を研究した。エピタキシャルグラフェン層に関する形態学的および構造変化を,原子間力顕微鏡,Raman分光法,Ramanマッピングと反射率マッピングで調べた。照射したグラフェン層の表面形態は,グラフェン折畳み,ヒロック,及び最高フルエンス(2×10~13ions/cm~2)でしわの形成を示した。Ramanスペクトル分析は,グラフェン欠陥密度はフルエンスの増加と共に増加することを示したが,Ramanマッピングと反射率マッピングは,単層グラフェン被覆の減少であることを示した。試料はアンモニアと二酸化窒素ガスセンシング応用のために研究した。純粋及び照射した試料上に作製したセンサは最適フルエンスで最高のガス検知応答を示した。著者らの研究は,エピタキシャルグラフェンの制御された方法,ガスセンシング応用のためのだけでなく,他の応用に使用できる中の欠陥を導入するための新しい経路を提供し,電気化学,バイオセンシング,magnetosensingおよびスピントロニクス応用など。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  Raman分光分析 ,  アンモニア ,  反射率 ,  バイオセンサ ,  欠陥密度 ,  *官能化 ,  *グラフェン ,  *イオン照射 ,  原子間力顕微鏡 ,  モルフォロジー ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 表面形態 ,  構造変化 ,  *表面官能化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エピタキシャルグラフェン ,  表面官能化 ,  イオン照射 ,  ガスセンサ

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： センシング ,  応用 ,  イオン照射 ,  SiC ,  エピタキシャルグラフェン ,  表面官能化