文献

J-GLOBAL ID：201702266697390129   整理番号：17A0399706

分子ビームエピタクシーによるGaSb(001)上の懸濁Ga_2Se_3膜とエピタキシャルBi_2Se_3(221)【Powered by NICT】

Suspended Ga₂Se₃ film and epitaxial Bi₂Se₃(221) on GaSb(001) by molecular-beam epitaxy

著者 (4件)： Li Bin (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Xia Yipu (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Ho Wingkin (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Xie Maohai (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 459  ページ： 76-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高屈折率Bi_2Se_3(221)は部分的に懸濁Ga_2Se_3(001)上に成長することに成功した。Ga_2Se_3層はGaSb(001)表面のセレン化,いくつかのGaSbナノピラーによってのみ支持される懸濁構造を明らかにしたが形成された。このような成長挙動は,大きな格子不整合を持つヘテロ構造を達成し,基板と堆積物の間の結合を抑制するために有益である可能性がある。,典型的なトポロジカル絶縁体,Bi_2Se_3は大きな格子不整合にもかかわらず高指数[221]方向に沿ってGa_2Se_3上に成長させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 堆積物 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *エピタクシー ,  格子不整合 ,  *MBE成長 ,  *ガリウム ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  ナノピラー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： B2Bi_2Se_3 ,  B2Ga_2Se_3 ,  A1懸濁Ga_2Se_3膜 ,  B1トポロジカル絶縁体 ,  A3分子ビームエピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子ビームエピタクシー ,  GaSb ,  懸濁 ,  エピタキシャル