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J-GLOBAL ID：201702266929425428   整理番号：17A0166132

CACU_3TI_4O_(12)セラミックのバリスタ特性に及ぼすGDドーピングの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Gd doping on non-ohmic properties of CaCu_3Ti_4O_(12) ceramics

著者 (7件)： Xie Xinyu (Department of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry) ,  Xiang Huiwen (Department of Basic Education, Zhengzhou University of Industrial Technology) ,  Chen Zhenping (Department of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry) ,  Li Tao (Department of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry) ,  Chen Shulin (Department of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry) ,  Liu Yongwei (Department of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry) ,  Liu Xin (Department of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou University of Light Industry)
資料名： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Dianzi Yuanjian yu Cailiao)
巻： 35  号： 10  ページ： 20-24  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2506A  ISSN： 1001-2028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 固相反応法により,CA_(1-X)GD_XCU_3TI_4O_(12)(X=0~0.09)セラミック試料を調製し,X線回折,RAMANスペクトル,陽電子消滅により特性評価した。一連の試料の微細構造と欠陥濃度を試験し,特性評価した。結果により、全ドーピング範囲内で系は構造相転移が発生せず、ドーピングにより系の格子膨張、分子分極率が増加することが分かった。GDドーピング量Xの増加とともに,空欠陥は増加した。電気的性質試験の結果は,適切なGDドーピング(X=0.01)が系のバリスタ性能を改善するが,過剰GDドーピング(X=0.07~0.09)が帰せの形成を阻害することを示し,その結果,系のバリスタ性能が抑制されることを示した。本論文では,システムの微細構造,,の欠陥濃度,および帰せの高さが,バリスタの特性に及ぼす影響について議論した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 構造相転移 ,  *バリスタ ,  陽電子消滅 ,  固相反応 ,  キャラクタリゼーション ,  分極率 ,  X線回折 ,  微細構造 ,  *セラミック ,  電気的性質 ,  スペクトル
準シソーラス用語： 格子膨張 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Ca_(1-x)GdxCu_3Ti_4O_(12) ceramics ,  microstructure ,  molecular polarization ,  defect concentration ,  non-ohmic behaviors ,  barrier height

分類 (2件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： セラミック ,  バリスタ ,  Gd ,  ドーピング ,  研究