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J-GLOBAL ID：201702267041497861   整理番号：17A0076698

AU電極とCDMNTE結晶の表面接触抵抗率研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the contact resistivity of Au contact on CdMnTe crystal

著者 (6件)： Shen Min (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Zhang Jijun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Wang Linjun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Min Jiahua (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Wang Lin (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University) ,  Liang Xiaoyan (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 47  号： 8  ページ： 8217-8221  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 円形の伝送線路モデルを用いて金(AU)電極とDiMengGe(CDMNTE)結晶のオーム接触特性を研究し、AU電極はAUCL_3化学めっき法で調製し、その接触抵抗率を計算した。AU/CDMNTEの接触抵抗に及ぼす表面処理とアニーリングの影響を実験的に研究した。結果は,化学的研磨と化学的機械的研磨の後のCDMNTEの接触抵抗が,それぞれ544.5%と89.0Ωであることを示した。CM2。AFMとXPSにより結晶表面の形態と組成を分析し,表面粗さとTE成分がCDMNTE薄膜の抵抗とキャリア輸送長に大きな影響を及ぼし,接触抵抗率の大きさを決定した。150°Cの空気雰囲気で1時間アニールした後,CPとCMP表面で処理したサンプルの接触抵抗は,それぞれアスペクトと30.2Ωに減少した。CM2。アニーリングは,AU結晶へのAUの拡散を促進し,接触抵抗をさらに低下させ,オーム接触性能を改善した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 研磨 ,  *接触抵抗 ,  化学機械研磨 ,  表面処理 ,  Ohm接触 ,  焼なまし ,  *結晶 ,  薄膜 ,  無電解めっき
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  結晶表面 ,  伝送線路モデル ,  *比接触抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CdMnTe ,  contact resistivity ,  chemical polishing ,  chemical-mechanical polishing ,  annealing

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au電極 ,  結晶 ,  接触抵抗率 ,  研究