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J-GLOBAL ID：201702267192543187   整理番号：17A0329164

高度包装と低温PECVD蒸着した酸化けい素の統合【Powered by NICT】

Integration of low temperature PECVD deposited silicon oxides with advanced packaging

著者 (5件)： Wang Chunmei (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 11 Science Park Road, Science Park-II, Singapore 117685) ,  Lee Steven (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 11 Science Park Road, Science Park-II, Singapore 117685) ,  Wang Xiangyu (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 11 Science Park Road, Science Park-II, Singapore 117685) ,  Chui King Jien (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 11 Science Park Road, Science Park-II, Singapore 117685) ,  Yu Mingbin (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 11 Science Park Road, Science Park-II, Singapore 117685)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 560-563  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低温TEOS酸化物をそれぞれ100°C,150°Cと180°Cでプラズマ増強化学蒸着(PECVD)により堆積した。堆積後,物理的特性は化学結合状態のFTIR,表面粗さをA FM,化学組成のためのAuger電子分光法,屈折率の偏光解析,及び湿式エッチング速度測定のためのDHFで行った。全ての特性化データから,100°Cで堆積したTEOS酸化物は高温堆積したTEOS酸化物と同等であることを示した。Cuによる用ライナ誘電体として作用するTSV技術との統合は,プロセスの観点からTSV技術で集積されるべきこれらの低温堆積TEOS酸化物の実現可能性を確認するために行った。ブラインドTSV漏れと静電容量のためのEテストも行い,比較した。eテストデータは,100°Cで堆積したTEOS酸化物は150°Cと180°C堆積TEOS酸化物と同等の電気的性能を示したことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  偏光解析法 ,  *蒸着 ,  高温 ,  化学組成 ,  静電容量 ,  ウェットエッチング ,  *酸化ケイ素 ,  銅 ,  Auger分光法 ,  *低温 ,  酸化物 ,  ライナ ,  屈折率 ,  *プラズマCVD

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高度 ,  包装 ,  低温 ,  PECVD ,  蒸着 ,  酸化けい素 ,  統合