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J-GLOBAL ID：201702267321791575   整理番号：17A0665785

水分解のためのロバストな光触媒としての単斜晶系Ga_2O_3(100)表面【Powered by NICT】

Monoclinic Ga₂O₃ (100) surface as a robust photocatalyst for water-splitting

著者 (9件)： Ma Yaqiang (College of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhao Xu ,  Niu Mengmeng ,  Li Wei ,  Wang Xiaolong ,  Zhai Caiyun ,  Wang Tianxing ,  Tang Yanan ,  Dai Xianqi
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 7  ページ： 4124-4134  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水分解のためのロバストな光触媒としてβGa_2O_3(100)表面,欠陥の有無にかかわらず,密度汎関数理論(DFT)に基づいて調べた。ここで,考慮した表面欠陥は,より高いカルコゲンと酸素空格子点とドーピングした,S,SeおよびTeのような。純Ga_2O_3に関して太陽エネルギーの高い利用をもたらす,欠陥表面の狭バンドギャップが観察された。初期分子吸着状態(IS),遷移状態(TS),最終解離吸着状態(FS)の幾何学的構造を最適化することにより,反応の活性化エネルギーと反応経路における各化学種の吸着エネルギーが得られた。水はLewis塩基として作用し,表面に電子を提供する。表面上の水の存在は可能性が高い分子モードを好んだ。反応結果は,表面が水分解のためのロバストで,高いカルコゲンと空格子点とドーピング,欠陥は反応パラメータに及ぼす明確な影響を持たないことを示した。反応経路は空格子点またはSeドーピングにより改善できる。Ga_2O_3(100)表面上の水分解のためのこれらの知見は,光触媒の合成および反応経路の相互作用を理解するための用いることができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単斜晶系 ,  遷移状態 ,  反応経路 ,  *ガリウム ,  解離吸着 ,  *ロバスト性 ,  化学種 ,  密度汎関数法 ,  セレン ,  *光触媒 ,  吸着エネルギー ,  表面欠陥 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水分解 ,  ロバスト ,  光触媒 ,  単斜晶系