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J-GLOBAL ID:201702267322967580   整理番号:17A0407792

温和な条件下でのCu_2ZnSnS_4薄膜のゾル-ゲル合成【Powered by NICT】

Sol-gel synthesis of Cu2ZnSnS4 thin films under mild conditions
著者 (8件):
資料名:
巻: 697  ページ: 361-366  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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薄膜太陽電池の吸収層材料を製造するために,Cu-Zn-Sn硫化Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜は,複数のスピンコート層中のガラス基板上にそれを適用することによって,簡単,安価,環境に優しい方法でゾル-ゲル四成分溶液から調製した。その後,得られた膜を硫黄蒸気なし循環空気雰囲気下での乾燥オーブンで製造された熱的にした。得られたX線回折ピークは厳密にCZTS(JCPDS 26 0575)回折パターンと一致し,製造したコーティングは黄錫亜鉛鉱構造によって特性化したことを示した。得られた膜の計算した光学バンドギャップエネルギーは1.45eVであり,これは文献値とよく一致し,このようにして代替候補吸収材料としての利用可能性を示唆した。得られたSEM画像は大きな球状粒子を用いて合成した密に充填したCZTS膜はコンパクトで均一であることを示した。従って著者らは本研究で初めて明らかにほぼ純粋なCZTS薄膜を一段階ゾル-ゲル法,比較的低い加熱温度と非真空条件で非毒性硫化に対応することを通して溶液から得ることができることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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