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J-GLOBAL ID:201702267388657881   整理番号:17A0021726

しきい値電圧を用いた電力MOSFETのための実時間老化モニタリング【Powered by NICT】

Real-time aging monitoring for power MOSFETs using threshold voltage
著者 (3件):
資料名:
巻: 2016  号: IECON  ページ: 441-446  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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パワーMOSFETはパワーエレクトロニクスコンバータで最も急速に加齢成分の一つであり,パワーMOSFETの健全性モニタリングのいくつかの研究は,この論文で行った。バックコンバータにおける電力MOSFETのしきい値電圧を用いたリアルタイムエージングモニタリング法を提案した。,パワーMOSFETの劣化の起源を解析し,接合温度は健全性モニタリングのための最も有望な破壊前駆体であることが示唆された。,しきい値電圧は接合温度推定のための熱に敏感な電気的パラメータとして選択した。降圧コンバータでは,実時間しきい値電圧モニタリング法を提案した。降圧変換器の特別な構造を利用して,提案した方法はゲート対地電圧,費用のかからない実現しやすいを捕捉する必要があるだけであった。最後に,提案した方法の有効性を,シミュレーションと実験結果により検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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オーディオ機器  ,  無線通信一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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