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J-GLOBAL ID：201702267560887065   整理番号：17A0020775

1T1R Memristorメモリの発見境界流のための試験法【Powered by NICT】

A Test Method for Finding Boundary Currents of 1T1R Memristor Memories

著者 (6件)： Lin Tzu-Ying ,  Chen Yong-Xiao ,  Li Jin-Fu ,  Lo Chih-Yen ,  Kwai Ding-Ming ,  Chou Yung-Fa
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ATS  ページ： 281-286  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリスタは,将来の不揮発性メモリのための代替不揮発性デバイスと考えられる抵抗装置である。メモリスタメモリでは,高抵抗(ROFF)状態を識別する低抵抗(RON)状態から必要である参照電流。参照電流はメモリスタメモリの歩留りと信頼性に影響を及ぼす。本論文では,ROFFとRON状態の境界流を見つけるための比較電流回路に関連する試験方法を提案した。このような状況においては,境界流によれば良好な基準電流を設定できる。シミュレーション結果は,この試験法を用いて,境界流を同定することであるならば,ROFF/RON=五十三のためのプロセス変動による不正確に読むことが可能性のある2.05%と3.68%メモリスタ細胞を除去できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  信頼性 ,  非揮発性 ,  シミュレーション ,  電流 ,  歩留り ,  *記憶装置
準シソーラス用語： プロセス変動 ,  メモリスタ ,  *試験方法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： パターン認識  (JE07000S) ,  符号理論  (ND02030R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 発見 ,  境界流 ,  試験法